В рамках выставки «Hi-Tech – 2020», которая проходила в Санкт-Петербурге, 19 сентября 2020 года состоялся конкурс «Лучший инновационный проект и лучшая научно-техническая разработка года». Разработка «Измерительная установка бесконтактной фотостимулированной сканирующей электрометрии "СКАН-2019" и методика бесконтактного контроля распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметром до 200 мм», выполненная в рамках задания 29 ГНТП «Микроэлектроника», представленная коллективом НИЛ полупроводниковой техники приборостроительного факультета в составе докторов технических наук А. Л. Жарина и О. К. Гусева, кандидатов технических наук Р. И. Воробья, А. И. Свистуна, А. К. Тявловского, кандидата физико-математических наук К. Л. Тявловского, А. В. Самариной, В. А. Микитевича награждена дипломом II степени и серебряной медалью конкурса «Hi-Tech» в номинации «Лучший инновационный проект (разработка) в области: приборостроение, отечественные элементная база, компьютеры и комплектующие».
Установка СКАН-2019 и методика неразрушающего контроля предназначены для неразрушающего определения и картирования пространственного распределения таких параметров полупроводниковых пластин, как электрический потенциал поверхности, удельное электрическое сопротивление ионно-легированных и диффузионных слоев, что позволяет объективно оценивать качество проведения технологических операций и исходных материалов при изготовлении интегральных микросхем большой степени интеграции. Разработка внедрена на ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ».
